特許
J-GLOBAL ID：201103035947119810
エピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-262141
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076007
特許番号：特許第4055340号
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒素をドープしたシリコン単結晶棒(14)の引上げ速度をV(mm/分)とし、前記シリコン単結晶棒(14)及びシリコン融液(13)の固液界面からこの界面の上方10mmまでにおける前記シリコン単結晶棒(14)内の引上げ方向の温度勾配の平均値をG(°C/mm)とするとき、V/Gが0.340mm2/分・°Cとなるような引上げ速度V(mm/分)で引上げる工程と、
前記シリコン単結晶棒(14)の引上げ時であって1130°Cから1050°Cまでの温度範囲を10分間で冷却しかつ850°Cから650°Cまでの温度範囲を200分間で冷却する工程と、
前記シリコン単結晶棒(14)をスライスしてシリコンウェーハを作製する工程と、
前記シリコンウェーハを600〜850°Cの範囲の所定温度で5〜180分間保持する工程と、
前記シリコンウェーハを1100〜1150°Cの範囲の所定温度まで5〜20°C/秒の速度で昇温した後にその所定温度で水素前処理を行う工程と、
前記シリコンウェーハを1050〜1150°Cの範囲の所定温度で保持した状態で前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程と、
前記シリコンウェーハを600〜850°Cの範囲の所定温度まで5〜20°C/秒の速度で降温してその所定温度で5〜120分間保持する工程と
を含むエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322 ( 200 6.01)
, C30B 29/06 ( 200 6.01)
H01L 21/322 Y
, C30B 29/06 502 H
, C30B 29/06 502 J
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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