特許
J-GLOBAL ID：200903006582283501

薄膜トランジスタ基板とその製造方法

発明者：
堀田 和重

堀田 和重 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-157792
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332551
出願日： 2005年05月30日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】厚いゲート絶縁膜とGOLD構造のLDD領域を有する高耐圧TFTと薄いゲート絶縁膜を有する低圧TFTとを少ない製造工程で製造する。【解決手段】ボトムゲート電極を覆って形成された第1ゲート絶縁膜13と、ボトムゲート電極と交差する第1の島状半導体膜を含む複数の島状半導体膜14と、第1ゲート絶縁膜13上方に形成された薄い第2ゲート絶縁膜15と、ボトムゲート電極と交差しない第2の島状半導体膜と交差するように、第2ゲート絶縁膜15上方に形成されたトップゲート電極16と、第1、第2の島状半導体膜において、ゲート電極より外側の領域に形成されたn型のソース/ドレイン領域と、第1の島状半導体膜において、ソース/ドレイン領域の内側に、ボトムゲート電極上方にチャネル領域を残して、ボトムゲート電極を一部覆って形成された、ソース/ドレイン領域より低不純物濃度のn型のLDD領域とを有する薄膜トランジスタ基板。【選択図】図1-2
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上方に形成された第1のボトムゲート電極と、 前記第1のボトムゲート電極を覆って、前記基板上方に形成された第1ゲート絶縁膜と、 前記第1ゲート絶縁膜上方に形成された複数の島状半導体膜であって、前記第1のボトムゲート電極と交差する第1の島状半導体膜を含む複数の島状半導体膜と、 前記複数の島状半導体膜を覆って、前記第1ゲート絶縁膜上方に形成された、前記第1ゲート絶縁膜より薄い第2ゲート絶縁膜と、 前記複数の島状半導体膜の内、前記ボトムゲート電極と交差しない第2の島状半導体膜と交差するように、前記第2ゲート絶縁膜上方に形成された第1のトップゲート電極と、 前記第1、第2の島状半導体膜において、前記ゲート電極より外側の領域に形成された第1導電型のソース/ドレイン領域と、 前記第1の島状半導体膜において、前記ソース/ドレイン領域の内側に形成され、前記第1のボトムゲート電極上方にチャネル領域を残して、前記第1のボトムゲート電極を一部覆って形成された、前記ソース/ドレイン領域より低不純物濃度の前記第1導電型のLDD領域と、 を有する薄膜トランジスタ基板。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136
FI (6件)：
H01L29/78 616A ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 627C
Fターム (71件)：
2H092JA24 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA30 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE37 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ23 ,  5F152AA06 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD17 ,  5F152CD23 ,  5F152CE05 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152FF05 ,  5F152FG01 ,  5F152FH18
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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