ビーム源及びビーム処理装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：渡邉勇 , 堀田信太郎 , 小杉良二 , 廣澤哲也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-071072
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281231
特許番号：特許第4101089号
出願日： 2003年03月14日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】プラズマ生成室内に配置された第1電極と、プラズマ生成室内にプラズマを生成するために、前記プラズマ生成室内部に前記第1電極に対向して配置された誘導結合型のコイルと、前記第1電極と前記誘導結合型のコイルとの間に電位差を発生させる電位差発生手段とを具備し、前記電位差発生手段が、前記誘導結合型のコイルに高周波電圧と低周波電圧とを交互に印加する電圧印加手段であり、前記誘導結合型のコイルの面に隣接して配置され前記第1電極に対向して配置された板体状の誘電体膜、または前記誘導結合型のコイルの周囲に被覆された誘電体膜を備え、前記第1電極は多数の開口を備えたオリフィス電極であり、前記誘電体膜の存在により、前記誘導結合型のコイルと前記第1電極との間にセルフバイアス電圧が発生し、前記プラズマ生成室内部に生成されたプラズマから、前記第1電極を介して粒子ビームを引き出すことを特徴とするビーム源。

IPC (7件)：

H01J 27/16 ( 200 6.01) , B01J 19/08 ( 200 6.01) , H01J 27/02 ( 200 6.01) , H01J 37/08 ( 200 6.01) , H01L 21/205 ( 200 6.01) , H01L 21/3065 ( 200 6.01) , H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01J 27/16 , B01J 19/08 E , H01J 27/02 , H01J 37/08 , H01L 21/205 , H01L 21/302 101 Z , H05H 1/46 L

引用特許：

審査官引用 (13件)

中性粒子ビーム処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-088859 出願人：株式会社荏原製作所, 東北大学長
特開平2-162639
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-138661 出願人：三洋電機株式会社

全件表示

前のページに戻る