シリコンウエーハおよびシリコン単結晶の製造条件を決定する方法ならびにシリコンウエーハの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-554510
特許番号：特許第3565205号
出願日： 2001年01月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン単結晶の製造条件を決定する方法であって、チョクラルスキー法により窒素がドープされた単数あるいは複数のシリコン単結晶を引上速度Vと固液界面の温度勾配Gの比V/Gおよび/またはGrown-in欠陥が凝集する温度帯の通過時間PTを変化させて引上げ、前記シリコン単結晶からシリコンウエーハを作製し、該シリコンウエーハに所定の熱処理を施した後、シリコンウエーハの特性値を測定して所定の特性値を基準に合否判断を行い、該合否判断と前記V/G、PTとの相関関係を求め、該相関関係に基づいて製造条件を決定することを特徴とするシリコン単結晶の製造条件を決定する方法。

IPC (2件)：