特許
J-GLOBAL ID：201103046355917723
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-402091
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204122
特許番号：特許第4401610号
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 活性層を、p型層とn側層とで挟みこむ構造を有し、p型層がp側クラッド層を有し、n側層がn側クラッド層を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記活性層がInを含む窒化物半導体を有し、該活性層内で、最も前記n側層側に配置されたn側障壁層(2a)と、最も前記p型層側に配置されたp側障壁層(2c)と、該n側障壁層(2a)と該p側障壁層(2c)との間に少なくとも1つのInを含む窒化物半導体からなる井戸層を有し、
前記n側クラッド層と前記活性層との間に、該活性層に接して、該n側クラッド層より屈折率が大きく、In混晶比がz>0である窒化物半導体からなる第1の窒化物半導体層を有し、
前記p側クラッド層と前記活性層との間に、In混晶比uがz>uである第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層に接して、且つ前記活性層に接して若しくは前記活性層にバッファ層を介して接してAlを含む窒化物半導体からなるp側電子閉込め層を有し、
前記n側クラッド層と前記第1の窒化物半導体層との間に、前記第1の窒化物半導体層よりIn混晶比が小さいInを含む窒化物半導体のn側光ガイド層、若しくは前記第1の窒化物半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きいn側光ガイド層、を有し、
前記p側障壁層の膜厚が200Å以上であり、該p側障壁層のIn混晶比が前記第2の窒化物半導体層のIn混晶比より大きく、前記n側障壁層のIn混晶比vがv<zであることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ( 200 6.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
H01S 5/343 610
, H01L 33/00 186
