特許
J-GLOBAL ID：201103047186801113

半導体記憶装置

発明者：
三浦 誓士

三浦 誓士 について

, 
鮎川 一重

鮎川 一重 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-174978
公開番号（公開出願番号）：特開2002-366429
特許番号：特許第4049297号
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の読み出し時間を持つ不揮発性メモリと、 前記第1の読み出し時間よりも少なくとも100倍以上読み出し時間の短い第2の読み出し時間を持つランダム・アクセス・メモリと、 前記不揮発性メモリ及び前記ランダム・アクセス・メモリの夫々に個別に結合され、前記ランダム・アクセス・メモリ及び前記不揮発性メモリに対するアクセスを制御し、外部からのストア命令に従って、前記ランダム・アクセス・メモリに記憶されるデータを前記不揮発性メモリに転送するための制御回路を含む回路と、 前記回路に結合された複数の入出力端子とを含み、 前記制御回路は、前記ストア命令に従って前記ランダム・アクセス・メモリに記憶されるデータを前記不揮発性メモリに転送している間に、前記ランダム・アクセス・メモリからのデータ読出し命令が入力された場合において、前記ストア命令に従って行っている前記ランダム・アクセス・メモリから前記不揮発性メモリへのデータ転送を中断し、前記読み出し命令に従って前記ランダム・アクセス・メモリに記憶されるデータを外部に出力するよう制御する半導体記憶装置。
IPC (9件)：
G06F 12/06 ( 200 6.01) ,  G06F 3/06 ( 200 6.01) ,  G06F 12/00 ( 200 6.01) ,  G06F 12/16 ( 200 6.01) ,  G11C 11/401 ( 200 6.01) ,  G11C 11/407 ( 200 6.01) ,  G11C 11/406 ( 200 6.01) ,  G11C 16/02 ( 200 6.01) ,  G11C 16/04 ( 200 6.01)
FI (10件)：
G06F 12/06 522 A ,  G06F 3/06 301 R ,  G06F 12/00 597 U ,  G06F 12/16 310 M ,  G06F 12/16 340 Q ,  G11C 11/34 371 Z ,  G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 363 G ,  G11C 17/00 601 U ,  G11C 17/00 622 E
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)
  • Data Sheet DiskOnChip Millennium MD2800,MD2810 8MB Single Chip Flash Disk, 200007, Rev.2.1, p.1-14
  • Data Sheet DiskOnChip Millennium MD2800,MD2810 8MB Single Chip Flash Disk, 200007, Rev.2.1, p.1-14

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