特許
J-GLOBAL ID：201103047446571613
半導体装置、配線基板、及び、それらの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳丸 達雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-057767
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177010
特許番号：特許第3973340号
出願日： 2000年03月02日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】外部電極パッドと、
前記外部電極パッドの上面に設けられ、前記外部電極パッドの対応する位置に形成される第1の開口及び前記外部電極パッドの面と実質的に平坦である下面を有する第1絶縁層と、
前記第1の開口を介して前記外部電極パッドと電気的に接続し前記第1絶縁層上に設けられた第1配線層と、
前記第1配線層上に設けられ前記第1配線層の対応する位置に第2の開口を有する第2絶縁層と、
前記第2の開口を介して前記第1配線層と電気的に接続する第2配線層と、
一端が前記外部電極パッドに接合して電気的に接続され、前記外部電極パッド毎に独立して設けられた柱状の導電体と、
により形成される配線基板と、
前記第2配線層に外部電極端子を介して接続される半導体チップと、
前記柱状の導電体の他端に、回路基板と前記半導体チップの外部電極端子とを電気的に接続するための外部端子と、
を有し、
前記柱状の導電体を複数有し、前記複数の導電体が絶縁性樹脂を介して互いに絶縁されているとともに、
前記複数の柱状の導電体と前記絶縁性樹脂とで構成される基板層は、前記配線基板より高い剛性を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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