マイクロ・ナノソリッド利用型半導体洗浄システム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：重信和男 , 水野昭宣 , 清水英雄 , 高木祐一 , 中野佳直 , 溝渕良一 , 秋庭英樹 , 堅田多恵子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-144729
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171691
出願日： 2010年06月25日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】半導体ウエハー洗浄プロセスにおける、完全ケミカルフリー・純水フリータイプのドライ型アッシングレス洗浄システム並びに洗浄方法を提供する。【解決手段】表面にレジストを有している基体を加温又は加熱せしめ、該加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して、極低温マイクロソリッド微粒化ノズルから極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体のジェット流を衝突させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面にレジストを有している基体からレジストをはく離・除去する半導体ウエハー洗浄法において、極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体をレジスト洗浄媒体として使用し、該ウエハー表面上のレジストに対して当該極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流を衝突させることを特徴とする半導体ウエハー洗浄法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/30 572B , H01L21/304 643C , H01L21/304 643D

Fターム (40件)：

5F046MA03 , 5F046MA10 , 5F146MA03 , 5F146MA10 , 5F157AA32 , 5F157AA64 , 5F157AB02 , 5F157AB13 , 5F157AB33 , 5F157AC01 , 5F157BB22 , 5F157BB32 , 5F157BB73 , 5F157BC12 , 5F157BC14 , 5F157BC32 , 5F157BC35 , 5F157BG04 , 5F157BG05 , 5F157BG13 , 5F157BG14 , 5F157BG15 , 5F157BG62 , 5F157BG63 , 5F157BG72 , 5F157BG73 , 5F157BG76 , 5F157BG83 , 5F157BG85 , 5F157BG86 , 5F157BG94 , 5F157BH18 , 5F157CE25 , 5F157CE36 , 5F157CF10 , 5F157CF34 , 5F157DA21 , 5F157DB20 , 5F157DB45 , 5F157DB47

引用特許：

審査官引用 (5件)

基板からフォトレジストを除去する非プラズマ法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-536559 出願人：ビーオーシー・エルエルシー, ジ・アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・アリゾナ
エアロゾル表面処理
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-332860 出願人：クライテックコーポレーション
極低温マイクロスラッシュ生成システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-170710 出願人：国立大学法人東北大学

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