特許
J-GLOBAL ID：201103048127771215
サーマルフロー用化学増幅型ポジレジスト組成物を用いたパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-085283
公開番号（公開出願番号）：特開2002-196497
特許番号：特許第4365049号
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に、水酸基の10〜50mol%を酸分解性基で置換した平均重量分子量が5,000〜50,000で分散度が1.0〜1.3である下記ヒドロキシスチレン樹脂(A)と水酸基の10〜50mol%を酸分解性基で置換した平均重量分子量が5,000〜50,000である下記ヒドロキシスチレン樹脂(B)および光酸発生剤を含有する化学増幅型ポジレジスト組成物によりフォトレジスト膜を形成した後、300nm以下の波長の放射線によりパターン露光、加熱処理、現像処理を順次行い所望よりやや大きなコンタクトホールパターンを形成し、この半導体基板を120°C〜160°Cに加熱し、レジストを熱フローさせることで所望のサイズのコンタクトホールパターンを形成するパターン形成方法。
式(A)及び(B)において、BL1及びBL2は、同じでも異なっていてもよく、酸分解性基を表す。L1は水素原子または酸で分解しない基を表す。0.1≦a≦0.5、0.1≦b≦0.5、及び0.0<c≦0.3である。
IPC (9件)：
G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/40 ( 200 6.01)
, C08K 5/00 ( 200 6.01)
, C08K 5/09 ( 200 6.01)
, C08K 5/16 ( 200 6.01)
, C08K 5/36 ( 200 6.01)
, C08K 5/41 ( 200 6.01)
, C08L 25/18 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/039 601
, G03F 7/40 511
, C08K 5/00
, C08K 5/09
, C08K 5/16
, C08K 5/36
, C08K 5/41
, C08L 25/18
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 570
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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