特許
J-GLOBAL ID：201103048777950971

電界効果トランジスタ

発明者：
竹村 保彦

竹村 保彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-025764
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187949
出願日： 2011年02月09日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】導体半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。【解決手段】半導体層1に、半導体層1の電子親和力と同程度かそれ以下の仕事関数の材料よりなる第1の導体電極3a、第2の導体電極3bを接して設け、さらに、半導体層1のゲートの形成された面と逆の面に接して、半導体層1の電子親和力より大きな仕事関数の材料で、半導体層を横切るようにして、第3の導体電極2を形成することにより、半導体層中にショットキーバリヤ型の接合を形成し、この部分のキャリア濃度が極めて低いことから、オフ電流を低減できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体層と、その一方の面に接して設けられた第1および第2の導体電極と、半導体層の他方の面に設けられたゲートとを有し、前記第1の導体電極および前記第2の導体電極の中間に、半導体層を横切るように設けられた第3の導体電極を有する電界効果トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (7件)：
H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 F ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616V
Fターム (59件)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC06 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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