半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 手島勝 , 藤田篤史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-279305
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156293
特許番号：特許第3574613号
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程(a)と、前記半導体領域に前記ゲート電極をマスクとして質量の大きい重イオンを注入して、前記半導体領域中にアモルファス層を形成する工程(b)と、前記工程(b)の後に、前記半導体領域に前記ゲート電極をマスクとして、第1の不純物をイオン注入する工程(c)と、前記工程(c)の後に、前記半導体領域に対して400°C〜550°Cの温度の第1の熱処理を施して、前記アモルファス層をクリスタル層に回復させる工程(d)と、前記工程(d)の後に、前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成する工程(e)と、前記工程(d)の後に、前記半導体領域に対して前記重イオン及び前記第1の不純物を活性化するための第2の熱処理を行なうことにより、前記第1の不純物が拡散されてなり浅い接合を持つ第1導電型のエクステンション高濃度不純物拡散層、及び前記エクステンション高濃度不純物拡散層の下側に位置し前記重イオンが拡散されてなる第2導電型のポケット不純物拡散層をそれぞれ形成する工程(f)と備え、nチャンネルMIS型トランジスタでは、前記ポケット不純物拡散層にインジウムイオン又はインジウムイオンよりも質量数の大きい3B族の元素イオンを用い、pチャンネルMIS型トランジスタでは、前記ポケット不純物拡散層にアンチモンイオン又はアンチモンイオンよりも質量数の大きい5B族の元素イオンを用い、前記第2の熱処理は、100°C/秒以上の昇温レートで950〜1050°Cの温度まで昇温し、該温度下で1〜10秒間保持する急速熱処理であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 21/265 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 21/265 604 G , H01L 21/265 F

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-248065 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-249740 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-121900 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

全件表示

審査官引用 (12件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-248065 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-249740 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-121900 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

全件表示

前のページに戻る