特許
J-GLOBAL ID：201103050928985564
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272320
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093979
特許番号：特許第4031158号
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、
この半導体基板に形成された回路素子と、
この回路素子上に絶縁膜を介して形成された第1の配線層と、
この第1の配線層の上層に形成された第2の配線層と、
前記第1の配線層と前記第2の配線層との間に形成され、前記第1の配線層の段差を解消するために実質的に平坦な表面を持つ第1のTEOS系酸化膜、及びこの第1のTEOS系酸化膜の下に形成された前記第1のTEOS系酸化膜に比べて緻密であり100〜200nmの膜厚を有する第1のプラズマSiH4系酸化膜と、
前記第2の配線層の上面及び側面を直接覆うように形成された、前記第2の配線層の段差を解消するために実質的に平坦な表面を持つ第2のTEOS系酸化膜と、
この第2のTEOS系酸化膜上に形成され、この第2のTEOS系酸化膜に比べて緻密で、かつ前記第1のプラズマSiH4系酸化膜より膜厚が厚く200〜600nmの膜厚を有する第2のプラズマSiH4系酸化膜と、
前記第2のプラズマSiH4系酸化膜上に形成された第3の配線層と、
前記第3の配線層を覆うように形成されたシリコン窒化膜からなるパシベーション膜と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
, H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 27/115 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
H01L 21/90 M
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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