半導体光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松元洋 , 光石俊郎 , 田中康幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-075103
公開番号（公開出願番号）：特開2004-280018
特許番号：特許第3966412号
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】コア層と当該コア層を挟む上部クラッド層及び下部クラッド層とを有すると共にハイメサリッジ形状に成形された光導波路と、前記下部クラッド層との電力の受け渡しを行う第1の金属電極と、前記上部クラッド層との電力の受け渡しを行う第2の金属電極とを有する半導体光素子において、前記コア層を、前記光導波路のリッジ側面に対して凹状となるように、該リッジ側面の内側に設け、前記第1又は第2の金属電極の一方又は両方を下記条件により設けることを特徴とする半導体光素子。第1の金属電極:前記下部クラッド層のリッジ側面に接触させて設ける。第2の金属電極:少なくとも前記上部クラッド層のリッジ側面に接触させて設ける。

IPC (2件)：