特許
J-GLOBAL ID：201103053205055410

プラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置

発明者：
高橋 秀治

高橋 秀治 について

, 
進藤 春雄

進藤 春雄 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について

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学校法人東海大学

学校法人東海大学 について


代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-092291
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222860
出願日： 2010年04月13日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：
【課題】基板温度が低温の場合でも酸化レートを高速化して、低温での酸化を可能とするとともに、厚膜酸化を可能とするプラズマ酸化方法および装置を提供する。【解決手段】酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、ステージ18上に設置された基板16に対して、トランス結合バイアス電源からバイアス電圧を印加し、前記基板16のバイアス電位の最大値Vmax及び最小値Vminが、プラズマ電位Vpに対して、Vmin<Vp<Vmaxの関係を満たすように前記バイアス電位を制御することによって前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板16に照射するプラズマ処理装置10により前記基板16をプラズマ酸化する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、 ステージ上に設置された基板に対してバイアス電圧を印加し、 前記基板のバイアス電位の最大値Vmax及び最小値Vminが、プラズマ電位Vpに対して、 Vmin<Vp<Vmax を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (2件)：
H01L21/316 A ,  H01L21/31 C
Fターム (31件)：
5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF10 ,  5F045BB07 ,  5F045BB09 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH20 ,  5F045EK07 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF73 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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