特許
J-GLOBAL ID：201103054742100835
パターン形状評価装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-140088
公開番号（公開出願番号）：特開2011-180159
出願日： 2011年06月24日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：
【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量(分散値)は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに1/Nに減少する。この性質を利用し、1枚の画像に対してさまざまなパラメータSの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のS依存性を分析し、分散値が1/Sに比例する項をノイズ起因とする。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
ラインパターンが形成された試料への電子線の照射により得られた二次電子又は反射電子の二次元分布データを処理する情報処理装置を備え、
前記情報処理装置は、
前記二次元分布データから前記ラインパターンの複数の端部データを取得し、
前記ラインパターンの長手方向の平均化範囲を規定する平均化パラメータで前記複数の端部データに対して平均化処理を行うことで、前記平均化パラメータの値に応じた複数の端部データを生成し、
前記平均化パラメータの夫々の値に対応する前記複数の端部データの標準偏差を計算し、
前記標準偏差と前記平均化パラメータとの関係に基づき、前記標準偏差に含まれるノイズ起因のバイアス成分を計算することを特徴とするパターン形状評価装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01B15/04 K
, G01B15/00 B
2F067AA16
, 2F067AA26
, 2F067AA54
, 2F067BB01
, 2F067BB04
, 2F067CC15
, 2F067HH06
, 2F067HH13
, 2F067JJ05
, 2F067KK04
, 2F067KK08
, 2F067PP12
, 2F067QQ02
, 2F067RR08
, 2F067RR12
, 2F067RR14
, 2F067RR28
, 2F067RR29
, 2F067RR31
, 2F067RR32
, 2F067RR41
, 2F067SS01
, 2F067SS13
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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