特許
J-GLOBAL ID:201103055957773888
半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
綿貫 隆夫
, 堀米 和春
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-200087
公開番号(公開出願番号):特開2001-028036
特許番号:特許第3557130号
出願日: 1999年07月14日
公開日(公表日): 2001年01月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】半導体素子が所定配置で形成された半導体ウエハと、電気的絶縁性を有する絶縁基板に前記各半導体素子の配置に合わせて信号授受用のアンテナパターンが形成された大判のアンテナ基板とを、前記各々の半導体素子の電極端子と前記アンテナパターンとを各々電気的に接続して接着し、半導体ウエハとアンテナ基板との接合体を形成した後、該接合体を半導体装置単位に切断して個片の半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
G06K 19/077
, B42D 15/10
, G06K 19/07
FI (3件):
G06K 19/00 K
, B42D 15/10 521
, G06K 19/00 H
引用特許:
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