特許
J-GLOBAL ID：201103055998508811
半導体装置および電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311023
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208777
特許番号：特許第4540776号
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】Nチャネル型薄膜トランジスタ及びPチャネル型薄膜トランジスタを有し、
前記Nチャネル型薄膜トランジスタは、
第1の島状半導体層と、
前記第1の島状半導体層の上にゲート絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールとを有し、
前記第1の島状半導体層は、第1のチャネル形成領域と、前記第1のチャネル形成領域を間に挟んで設けられた一対の第1の低濃度不純物領域と、前記第1のチャネル形成領域及び前記一対の第1の低濃度不純物領域を間に挟んで設けられた一対の第2の低濃度不純物領域と、前記第1のチャネル形成領域、前記一対の第1の低濃度不純物領域、及び前記一対の第2の低濃度不純物領域を間に挟んで設けられた第1のソース領域及び第1のドレイン領域とを有し、
前記第1の低濃度不純物領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記サイドウォールと重なっており、
前記第1のチャネル形成領域及び前記第1の低濃度不純物領域は、前記ゲート絶縁膜を介して前記第1のゲート電極と重なっており、
前記第1の低濃度不純物領域、前記第2の低濃度不純物領域、前記第1のソース領域、及び前記第1のドレイン領域には、導電性を付与する同一の不純物元素が含まれ、
前記第2の低濃度不純物領域は、前記第1の低濃度不純物領域よりも前記不純物元素の濃度が高く、
前記Pチャネル型薄膜トランジスタは、
第2の島状半導体層と、
前記第2の島状半導体層の上に前記ゲート絶縁膜を介して形成された第2のゲート電極とを有し、
前記第2の島状半導体層は、第2のチャネル形成領域と、前記第2のチャネル形成領域を間に挟んで設けられた第2のソース領域及び第2のドレイン領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 27/08 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 613 A
, H01L 27/08 321 C
, H01L 27/08 331 E
