半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中野稔 , 服部保次 , 山口幹雄 , 二島英明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181414
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015813
特許番号：特許第3709101号
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】裏面にn型下部電極が設けられた基板と、前記基板の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたp型半導体層と、前記p型半導体層の上に設けられた上部電極とを備え、前記p型半導体層は、ZnSe系半導体層、ZnTe系半導体層およびBeTe系半導体層から成る群から選ばれた半導体層であり、前記上部電極は、前記p型半導体層上に接触して位置するAu薄膜と、このAu薄膜の上に室温の成膜温度で形成されたn型透明導電膜とを含む、半導体発光素子。

IPC (1件)：