特許
J-GLOBAL ID：200903082138175652
酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法、及びこれを用いた窒化物半導体膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-334950
公開番号（公開出願番号）：特開2007-137727
出願日： 2005年11月18日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】立方晶系の窒化物半導体と格子整合して、III族窒化物半導体を結晶成長させた際に六方晶系結晶の混入が低減されて立方晶系結晶が支配的となる、高品質な立方晶系の窒化物半導体を得ることができる酸化ガリウム単結晶複合体基板を、簡便にかつ低コストで製造することができる方法、及び窒化物半導体膜の製造方法を提供する。【解決手段】酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を化学的機械研磨し、当該表面をECRプラズマ又はRFプラズマにより励起された窒素プラズマで窒化処理して、基板の表層部に立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であり、この複合体の表面に窒化物半導体膜を成長させる窒化物半導体膜の製造方法である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を化学的機械研磨し、当該表面をECRプラズマ又はRFプラズマにより励起された窒素プラズマで窒化処理して、基板の表層部に立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を形成することを特徴とする酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077CA01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE02
, 4G077EJ03
, 4G077FJ06
, 4G077HA12
, 4G077JA03
, 4G077JB02
, 4G077JB12
出願人引用 (7件)
-
GaN膜及びGaN膜形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-188647
出願人：日本無線株式会社, 尾鍋研太郎
-
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-342676
出願人：日本電信電話株式会社
-
単結晶成長用基体
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-038818
出願人：京セラ株式会社
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