GaN系のIII-V族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-383523
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232003
特許番号：特許第3859505号
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】光放出が起こる活性層と、前記活性層を挟んで対向して前記活性層にレーザ発振を誘導するレージングのための第1及び第2物質層と、前記第1物質層の最下層の上面部に接触した第1電極と、前記第2物質層の最上層と制限的に接触した第2電極と、効果的な熱放出のために前記第1物質層の最下層の下面部と接触した熱放出手段とを備えることを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：