特許
J-GLOBAL ID：201103062255225935

半導体装置及びその製造方法

発明者：
岡本 直哉

岡本 直哉 について

, 
美濃浦 優一

美濃浦 優一 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 真田 有 ,  山本 雅久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-152292
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009521
出願日： 2009年06月26日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：
【課題】窒化物半導体デバイス層がエッチングされないようにしながら、窒化物半導体デバイス層を基板から剥離することができるようにする。【解決手段】半導体装置の製造方法を、基板12上に、エッチング犠牲層13を形成する工程と、エッチング犠牲層13上に、エッチングストッパ層2を形成する工程と、エッチングストッパ層2上に、窒化物半導体デバイス層1を形成する工程と、エッチング犠牲層13を、光電気化学エッチングによって除去する工程とを含むものとし、エッチングストッパ層2を、窒化物半導体デバイス層1に正孔が蓄積することを防止する層とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、エッチング犠牲層を形成する工程と、 前記エッチング犠牲層上に、エッチングストッパ層を形成する工程と、 前記エッチングストッパ層上に、窒化物半導体デバイス層を形成する工程と、 前記エッチング犠牲層を、光電気化学エッチングによって除去する工程とを含み、 前記エッチングストッパ層は、前記窒化物半導体デバイス層に正孔が蓄積することを防止する層であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/306 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01S 5/343 ,  H01L 33/32 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/80
FI (7件)：
H01L21/306 L ,  H01L29/80 H ,  H01S5/343 610 ,  H01L33/00 186 ,  H01L27/12 G ,  H01L29/80 V ,  H01L21/306 B
Fターム (46件)：
5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36 ,  5F043AA16 ,  5F043AA20 ,  5F043BB10 ,  5F043DD08 ,  5F043DD14 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GC07 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR06 ,  5F102GR09 ,  5F102GR10 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F173AG05 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AL14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP73 ,  5F173AQ02 ,  5F173AR99
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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