特許
J-GLOBAL ID：200903052484629442
中間基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
北村 修一郎
, 山▲崎▼ 徹也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-507893
公開番号（公開出願番号）：特表2008-538658
出願日： 2006年04月21日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：
中間基板は、III族窒化物半導体層などの化合物半導体層のエピタキシャル成長に適した薄層に接合したハンドル基板を含む。ハンドル基板は、モリブデンまたはモリブデン合金の基板などの金属または合金の基板でよく、薄層はサファイア層でもよい。中間基板の製造方法は、ソース基板中に弱いインターフェースを形成し、ソース基板をハンドル基板に接合し、薄層がハンドル基板に接合したままにしてソース基板から薄層を剥離することを含む。
請求項（抜粋）：
中間基板であって、金属または合金を含むハンドル基板に接合する化合物半導体材料のエピタキシャル成長に適した薄層を備える中間基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
5F041AA32
, 5F041AA40
, 5F041CA10
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA71
, 5F041CB15
, 5F045AA02
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AF04
, 5F045AF11
, 5F045AF12
, 5F045BB08
, 5F045CA09
, 5F045DA53
, 5F045DA55
