特許
J-GLOBAL ID：201103064105386704
2層拡散バリアーを析出させる方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
, 原 謙三
, 木島 隆一
, 圓谷 徹
, 金子 一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-619017
特許番号：特許第3779161号
出願日： 2000年05月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ウェハー上に2層拡散バリアーを析出させる方法であって、この場合2層拡散バリアーが、下部の窒化タンタル(TaN)層と、その上にあって、導通線用の、特に銅導通線用の担持層としてのタンタル(Ta)層とから成る前記方法において、高温析出段階において、200°C以上の半導体ウェーハーの温度でTaN層を析出させ、次に低温析出段階において、50°C以下の半導体ウェーハーの温度でTa層を析出させることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, C23C 14/06 ( 200 6.01)
H01L 21/285 S
, H01L 21/28 301 R
, C23C 14/06 N
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
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