特許
J-GLOBAL ID：201103065009945588
IG処理法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213751
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044207
特許番号：特許第4003351号
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン単結晶インゴットの引上げ速度をV(mm/分)、インゴット-シリコン融液の接触面の温度勾配をG(°C/mm)とするときに、温度勾配に対する引上げ速度の比(V/G (mm2/分・°C))を格子間シリコン型点欠陥の凝集体の発生を防止する第1臨界比((V/G)1)以上であって、空孔型点欠陥の凝集体をインゴットの中央にある空孔型点欠陥が支配的に存在する領域内に制限する第2臨界比((V/G)2)以下に維持することにより、結晶に起因したパーティクルも侵入型転位も発生せず、シリコンウェーハの状態で熱酸化処理した際にウェーハ中心部にウェーハ総面積の80%の広さを有するディスク状の酸化誘起積層欠陥が顕在化するように、前記インゴットを引上げる工程と、
前記インゴットから切出された研削研磨した直後のシリコンウェーハを室温から700〜950°Cまで30°C/分以上の昇温速度で急速加熱して0.5〜30分間保持する工程と、
前記急速加熱して保持したシリコンウェーハを室温まで放冷し、これによりウェーハ表面から1〜100μmの深さにわたってDZ層が形成され、このDZ層より深い部分の酸素析出物密度が1×107〜3×107個/cm3であって、転位発生を伴わないシリコンウェーハを得る工程と
を有するIG処理法。
IPC (2件)：
H01L 21/322 ( 200 6.01)
, H01L 21/324 ( 200 6.01)
H01L 21/322 Y
, H01L 21/324 X
