特許
J-GLOBAL ID：201103065533233242
インジウム燐ガンダイオード及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 常明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368820
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185780
特許番号：特許第4493772号
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】高濃度n型InPからなる半導体基板上に、高濃度n型InPからなる第1の半導体層、低濃度n型InPからなる活性層及び高濃度n型InGaAsからなる第2の半導体層が順に積層されたインジウム燐ガンダイオードであって、
前記第2の半導体層上に配置され前記活性層に電圧を印加するための小面積の第1の電極及び大面積の第2の電極と、該第1の電極の周囲から少なくとも前記第2の半導体層を除去するよう切り込まれ、且つ前記第1の電極に対応する前記第2の半導体層及び前記活性層の部分をガンダイオードとして機能させる領域として区画する凹部とを備えたことを特徴とするインジウム燐ガンダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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