特許
J-GLOBAL ID：201103066749084922
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-095748
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284468
特許番号：特許第3492973号
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に形成されたMOS型トランジスタを有する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の上面に、導電型不純物が含まれたアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、前記半導体基板の結晶方位を受け継ぎながら前記アモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させて、ゲート絶縁膜と半導体基板との界面よりもソース/ドレイン領域の上面の方が高い位置にあるエレベーテッド・ソース/ドレイン拡散層を形成する工程と、前記エレベーテッド・ソース/ドレイン拡散層をそれぞれ有するn型MOSトランジスタとp型MOSトランジスタとで構成されるCMOSを形成する工程と、を備え、前記n型MOSトランジスタと前記p型MOSトランジスタとの一方に前記アモルファスシリコン膜を形成するに先立ち、前記n型MOSトランジスタ領域及びp型MOSトランジスタ領域を覆う炭素のマスク材を形成し、前記アモルファスシリコン膜を形成するMOSトランジスタ領域上の前記炭素マスク材をエッチング除去して、前記n型MOSトランジスタと前記p型MOSトランジスタの他方のMOSトランジスタ領域を被覆する炭素マスクを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/8238
, H01L 21/20
, H01L 21/28 301
, H01L 21/336
, H01L 27/092
, H01L 29/78
H01L 21/20
, H01L 21/28 301 S
, H01L 27/08 321 E
, H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 S
