特許
J-GLOBAL ID：201103066980805381

スパッタリング装置および金属化構造体を製造する方法

発明者：
ウェイチャート,ジュ-ゲン

ウェイチャート,ジュ-ゲン について

, 
エルガ-ツァリイ,モハメド

エルガ-ツァリイ,モハメド について

, 
バメスバーガー,ステファン

バメスバーガー,ステファン について

, 
ミンコ-レイ,デニス

ミンコ-レイ,デニス について


出願人/特許権者：
オーシー オリコン バルザース エージー

オーシー オリコン バルザース エージー について


代理人 (1件)： 廣瀬 隆行
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-502488
公開番号（公開出願番号）：特表2011-516728
出願日： 2009年04月03日
公開日（公表日）： 2011年05月26日
要約：
複数のパルスで陽極とターゲット間に電力を印加することによってTaN層(4)を被着し、ターゲットから基板(2)へ反応的にTaをスパッタしてTaNシード層(4)を形成する方法から成る。Ta層(5)は複数のパルスにおける電力を印加すると共に、前記基板(2)を支持するペデスタルに高い周波数信号を印加することによって前記TaNシード層(4)の上に被着され、前記基板(2)に隣接した自己バイアス場を生成する金属化構造体(1)を被着する方法。
請求項（抜粋）：
基板を用意し、 前記基板上にスパッタリングされるタンタルの少なくとも一部によりターゲットを提供することによりTaN層を被着し、 窒素および不活性ガスを含むスパッタリングガスを提供し、 複数のパルスで陽極と陰極との間に電力を印加し、当該陰極は前記ターゲットを含み、ここで10Hzから1000Hzの範囲の周波数でさらに0.01%と20%の間のデューティサイクルで各パルスが印加され、そして前記ターゲット上に0.1A/cm2以上10A/cm2以下の電流密度を生じ、 前記ターゲットの表面に隣接した磁場を印加し、 前記電源の各パルスの間、前記ターゲットから前記基板の上へ反応的にタンタルをスパッタリングしてTaNシード層を形成し、 前記ターゲットの表面に隣接した磁場を提供することによって、前記TaNシード層の上へTa層を被着し、 不活性スパッタリングガスを供給し、 複数のパルスで陽極と陰極との間に前記電力を印加し、当該陰極は前記ターゲットを含み、ここで各パルスは10Hzから1000Hzの範囲の周波数でさらに0.01%と20%の間のデューティサイクルで各パルスが印加され、そして前記ターゲットの上で0.1A/cm2と10A/cm2との間の電流密度を生じ、 前記ターゲットの表面に隣接した磁場を印加し、 前記基板を支持するペデスタルに高周波信号を印加し前記基板に隣接して自己バイアス場を発生させ、 前記電源の各パルスの間前記ターゲットから前記TaN層の上にタンタルを被着させタンタル層を形成する金属化構造体を被着する方法。
IPC (6件)：
C23C 14/14 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (6件)：
C23C14/14 D ,  C23C14/06 A ,  C23C14/14 G ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 S ,  H01L21/88 R
Fターム (47件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA08 ,  4K029BA16 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB08 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029CA13 ,  4K029DC03 ,  4K029DC34 ,  4K029DC40 ,  4K029EA01 ,  4K029EA09 ,  4M104AA01 ,  4M104BB17 ,  4M104BB32 ,  4M104DD38 ,  4M104DD39 ,  4M104DD42 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP17 ,  5F033RR04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033WW08 ,  5F033XX02 ,  5F033XX10
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM