特許
J-GLOBAL ID：201103067861135072
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 黒川 弘朗
, 西山 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-282716
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094030
特許番号：特許第4567167号
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を通して形成された導電性を有する材料からなるコンタクトプラグと、
前記コンタクトプラグの上面に形成されたバリア膜と、
このバリア膜を介して前記コンタクトプラグに接続され、前記層間絶縁膜上に形成された金属材料からなる第1の電極と、
この第1の電極上に形成された絶縁性を有する金属酸化物からなる容量絶縁膜と、
この容量絶縁膜により絶縁分離されて前記第1の電極の表面に形成された第2の電極と
を備え、
前記バリア膜は、前記コンタクトプラグと接する第1の薄膜と、この第1の薄膜および前記第1の電極に接する第2の薄膜とで構成され、
前記第1の薄膜は、タングステン・シリコン・ナイトライド(WSixNy)からなり、
前記第2の薄膜は、タングステン・シリサイド(WSix )からなる
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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