特許
J-GLOBAL ID：200903005169713038
半導体素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157793
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022095
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト抵抗を減少させることができる半導体素子を提供する。【構成】 順次積層された第1のドープしたポリシリコン膜、第1のタングステンシリサイド膜、及びキャップ層からなる下部導電層パターンと、順次積層された第2のドープしたポリシリコン膜及び第2のタングステンシリサイド膜からなる上部導電層パターンとを含む。ここで、下部導電層パターンと上部導電層パターンとのコンタクトは、実質的にキャップ層と第2のドープしたポリシリコン膜との間でなされ、キャップ層は、少量のタングステンを含んだドープしたポリシリコン膜からなり、第1のタングステンシリサイド膜よりもシリコンの化学的当量比xが大であることを特徴とする。望ましくは、第1のタングステンシリサイド膜のSiの化学的当量比xは2.3乃至2.5で、キャップ層のSiの化学的当量比xは2.6乃至2.9である。
請求項（抜粋）：
順次積層された第1のドープしたポリシリコン膜、第1のタングステンシリサイド膜、及びキャップ層からなる下部導電層パターンと、順次積層された第2のドープしたポリシリコン膜及び第2のタングステンシリサイド膜からなる、前記下部導電層パターンとコンタクトする上部導電層パターンとを含み、前記下部導電層パターンと前記上部導電層パターンとのコンタクトは、実質的に前記キャップ層と第2のドープしたポリシリコン膜との間でなされ、前記キャップ層は、少量のタングステンを含んだドープしたポリシリコン膜からなり、前記第1のタングステンシリサイド膜よりもシリコンの化学的当量比xが大であることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10 481
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
H01L 27/10 481
, H01L 21/28 301 D
, H01L 21/88 Q
