特許

J-GLOBAL ID：201103069455145990

相互接続構造部、及び、その形成方法

発明者： ダニエル・チャールス・エドラステン ,  ジェームズ・マッケルエドウィン・ハーパー ,  チャオクン・ク ,  アンドリュー・エイチ・シモン ,  コプレイン・エメカ・ウゾー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117513
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340229
特許番号：特許第3121589号
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】電子デバイスとの電気的接続を与える相互接続構造部であって、前記電子デバイス上に付着された銅合金シード層と、前記銅合金シード層に緊密に接触して、該層の上面上に形成された導電体とを含み、前記導電体は、銅と、約0.001〜10重量%の間にある、C、Cl、N、O、Sからなる群から選択された少なくとも1つの合金要素と、によって形成される、相互接続構造部。

IPC (1件)：

H01L 21/3205

FI (1件)：

H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (7件)

• チップ及びパッケージの相互接続用銅合金ならびにその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-164895   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 集積回路、その製造方法およびその薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-237815   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路装置、その製造方法およびその製造に用いるスパツタターゲツト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-201715   出願人：株式会社日立製作所
• 2層構造の銅拡散防止膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-339315   出願人：エルジーセミコンカンパニーリミテッド
• 半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-103283   出願人：沖電気工業株式会社
• メタライゼーション構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-164090   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-027417   出願人：株式会社日立製作所