プラズマプロセス用装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122357
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315679
特許番号：特許第4339442号
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】容器内でプラズマを励起させ、前記容器内に置かれた被処理物の処理を前記プラズマで行い、前記プラズマによる処理を制御するために、高周波のバイアスを加えるプラズマプロセス用装置において、前記容器内でプラズマを励起するプラズマ励起源と、前記高周波のバイアスを加える高周波発生装置と、前記容器内の底部に設けられ、前記高周波を絶縁し、かつ、断熱するために、絶縁性材料で作られている絶縁断熱手段と、前記絶縁断熱手段に重ねて設けられ、前記高周波が加えられてバイアスを発生する複数のビア線によって電気的に接続されている二重構造の電極板を内部に備えるステージと、前記ステージを載せるように載置された、あるいは前記ステージ内に載置された、前記被処理物の温度を制御する温度調整手段とを具備した載置手段とを備えることを特徴とするプラズマプロセス用装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) , C23F 4/00 ( 200 6.01) , H01L 21/31 ( 200 6.01) , H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/302 101 B , C23F 4/00 A , H01L 21/31 C , H05H 1/46 B

引用特許：

出願人引用 (7件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-049997 出願人：東京エレクトロン株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-037552 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-119692 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (7件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-049997 出願人：東京エレクトロン株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-037552 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-119692 出願人：株式会社東芝

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