特許
J-GLOBAL ID：201103072111048171

DLC膜形成方法およびDLC膜

発明者：
鈴木 雅裕

鈴木 雅裕 について

, 
齊藤 利幸

齊藤 利幸 について

, 
山川 和芳

山川 和芳 について


出願人/特許権者：
株式会社ジェイテクト

株式会社ジェイテクト について


代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  五郎丸 正巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-114438
公開番号（公開出願番号）：特開2011-089195
出願日： 2010年05月18日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：
【課題】低温環境下であっても、良好な密着性を有するDLC膜、およびこのDLC膜を形成することができるDLC膜形成方法を提供すること。初期なじみ性の優れたDLC膜、およびこのDLC膜を形成することができるDLC膜形成方法を提供すること。【解決手段】アウタークラッチプレート15の基材30におけるインナークラッチプレートと対向する第1対向面31は、DLC膜26で被覆されている。基材30の表層部には、処理層33が形成されている。処理層33は、直流パルス電圧を基材30に印加して、アルゴンガスおよび水素ガスを含む雰囲気中でプラズマを発生させることにより形成されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
処理室内で、基材の表面の少なくとも一部を被覆するDLC膜を形成する方法であって、 低真空ポンプによって生成された所定の処理圧の減圧状態において実行され、直流パルス電圧を前記基材に印加して、前記処理室の内部においてアルゴンガスおよび水素系ガスを含む雰囲気中でプラズマを発生させることにより、ArイオンおよびHイオンを前記基材の表面に供給する前処理工程と、 前記減圧状態において前記前処理工程後に実行され、直流パルス電圧を前記基材に印加して、前記処理室の内部において雰囲気中でプラズマを発生させることにより、前処理工程が施された後の前記基材の表面にDLCの堆積層を形成するDLC堆積工程とを含み、 前記前処理工程および前記DLC堆積工程では、前記基材の温度が300°C以下になるように、当該両工程の処理時間、当該両工程における前記所定の処理圧、または当該両工程において前記基材に印加される前記直流パルス電圧の周波数、デューティ比もしくは電圧値が設定されている、DLC膜形成方法。
IPC (4件)：
C23C 16/27 ,  C23C 16/02 ,  C01B 31/02 ,  F16D 13/62
FI (4件)：
C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  C01B31/02 101Z ,  F16D13/62 A
Fターム (39件)：
3J056AA60 ,  3J056BA02 ,  3J056BC02 ,  3J056CA07 ,  3J056CA16 ,  3J056EA17 ,  3J056EA18 ,  3J056FA09 ,  4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC23B ,  4G146AC30A ,  4G146AC30B ,  4G146AD02 ,  4G146AD26 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32A ,  4G146BC32B ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA02 ,  4K030CA11 ,  4K030DA02 ,  4K030FA03 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  4K030KA05 ,  4K030LA23
引用特許：
審査官引用 (7件)
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