特許
J-GLOBAL ID：200903033321565248

非晶質炭素膜及びその成膜方法

発明者：
井手 幸夫

井手 幸夫 について

, 
福田 匠

福田 匠 について

, 
本多 祐二

本多 祐二 について


出願人/特許権者：
山口県

山口県 について

, 
株式会社ユーテック

株式会社ユーテック について


代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-026239
公開番号（公開出願番号）：特開2009-185336
出願日： 2008年02月06日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：
【課題】少なくとも潤滑油中で摩擦特性が優れること、または無潤滑および潤滑油中の両方の環境下で摩擦特性が優れた非晶質炭素膜およびその成膜方法を提供する。【解決手段】原料ガスはトルエンガスおよびHMDSで、周波数は50kHz以上500kHz以下で、圧力は0.5Pa以上20Pa以下で、成膜中の温度は150〜400°Cの条件のプラズマCVD法を用いて基材上に形成された炭素と水素または炭素と珪素と水素を含有する非晶質炭素膜であって、組成がC1-a-bSiaHbで、かつ、0≦a≦0.2、0.75≦b<0.25であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法を用いて基材上に形成された炭素と水素または炭素と珪素と水素を含有する非晶質炭素膜であって、 組成がC1-a-bSiaHbで、かつ、0≦a≦0.2、0.075≦b<0.25であることを特徴とする非晶質炭素膜。
IPC (3件)：
C23C 16/26 ,  C23C 16/509 ,  C01B 31/02
FI (3件)：
C23C16/26 ,  C23C16/509 ,  C01B31/02 101Z
Fターム (26件)：
4G146AA01 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AD02 ,  4G146BA12 ,  4G146BA38 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC31A ,  4G146BC31B ,  4K030AA01 ,  4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BA48 ,  4K030BB05 ,  4K030BB13 ,  4K030CA02 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA18 ,  4K030KA28 ,  4K030LA02 ,  4K030LA23
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (14件)
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