半導体レーザの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-017912
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210912
特許番号：特許第4415440号
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくともp型クラッド層を含むp型半導体層上にSiO2 膜により形成された所定形状のマスクを形成する工程と、上記マスクを用いて上記p型半導体層のエッチングを行うことにより、上記p型半導体層にリッジ形状のストライプを形成するとともに、上記ストライプの両側に幅が50μm以下の溝を形成する工程と、上記マスクを用いて窒化物系III-V族化合物半導体からなる埋め込み半導体層を選択成長させ、上記溝を埋め込む工程とを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法。

IPC (1件)：