特許
J-GLOBAL ID:201103076274770210

パワー半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-278487
公開番号(公開出願番号):特開2001-102519
特許番号:特許第4292652号
出願日: 1999年09月30日
公開日(公表日): 2001年04月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板上に第1電極パターンと、長手方向に軸線を有する第2電極パターンとを並べて設け、上記第1電極パターンの上に、下面に第1電極、上面に第2電極を有するパワー半導体素子を、上記第1電極を上記第1電極パターンと電気的に接続して、上記軸線とほぼ平行に複数個並べ、上記第2電極と上記第2電極パターンを導線により接続したパワー半導体モジュールにおいて、 一端が上記第2電極パターンと接続され他端が外部接続端子となる第2電極配線導体と、一端が上記第1電極パターンと接続され他端が外部接続端子となる第1電極配線導体とを備え、 上記基板の中心軸線近傍に、この中心軸線と上記軸線がほぼ平行になるよう上記第2電極パターンを配置し、かつ上記第2電極パターンの両側にそれぞれ上記第1電極パターンを配置して、それぞれの上記第1電極パターンの上に上記パワー半導体素子を複数個並べ、 上記第1電極配線導体の外部接続端子近傍および上記第2電極配線導体の外部接続端子近傍では、上記軸線を含み上記基板に垂直な軸線面に直交する電流成分を有するように、上記第1電極配線導体の外部接続端子と上記第2電極配線導体の外部接続端子とが、互いに上記軸線面をへだてて逆側に位置して設けられ、かつ上記第1電極配線導体の上記第1電極パターンとの接続点近傍で上記軸線面に直交した方向に電流成分を有するように構成され、上記外部端子近傍で上記軸線面に垂直な電流成分となる位置と、上記第1電極配線導体の上記第1電極パターンとの接続点近傍で上記軸線面に直交した方向に電流成分を有する位置との距離が、上記2つの外部端子間の距離の2分の1よりも大きいことを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件):
H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 25/04 C
引用特許:
審査官引用 (10件)
  • モジュール型半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-004669   出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
  • 半導体モジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-229698   出願人:株式会社日立製作所
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-019995   出願人:富士電機株式会社
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