特許
J-GLOBAL ID：201103077531513335
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388985
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188439
特許番号：特許第4389423号
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも強磁性の自由層、非磁性の非磁性層および強磁性体の固定層が積層されてなる磁気抵抗効果素子において、
前記自由層は、前記非磁性層側でない界面近傍に、強磁性体と非磁性物質との混合層領域が形成されたものであり、
前記混合層領域を形成する非磁性物質は、水素、窒素、塩素、硫黄、炭素、フッ素のうちのいずれか一つまたは複数の化合物からなるものである
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ( 200 6.01)
, G11C 11/14 ( 200 6.01)
, G11C 11/15 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 43/12 ( 200 6.01)
H01L 43/08 Z
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15 110
, H01L 27/10 447
, H01L 43/12
