特許
J-GLOBAL ID:201103078283257501
高周波リレー及び高周波リレーの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-363617
公開番号(公開出願番号):特開2001-176347
特許番号:特許第3843678号
出願日: 1999年12月22日
公開日(公表日): 2001年06月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に金属皮膜を形成すると共に金属皮膜により固定接点部、接点端子部、アース部及びシールド部をベースブロック本体と一体に構成した接点ベースブロックを備えて成ることを特徴とする高周波リレー。
IPC (5件):
H01H 1/04 ( 200 6.01)
, H01H 11/04 ( 200 6.01)
, H01H 49/00 ( 200 6.01)
, H01H 50/10 ( 200 6.01)
, H01H 50/54 ( 200 6.01)
FI (7件):
H01H 1/04 E
, H01H 1/04 B
, H01H 11/04 G
, H01H 49/00 L
, H01H 50/10 G
, H01H 50/54 R
, H01H 50/54 S
引用特許:
出願人引用 (15件)
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特開昭62-023194
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高周波リレー及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-149077
出願人:松下電工株式会社
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特開昭58-097222
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