特許

J-GLOBAL ID：200903051046410997

不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置

発明者： 神澤 好彦 ,  片山 幸治 ,  藤井 覚 ,  村岡 俊作 ,  小佐野 浩一 ,  三谷 覚 ,  宮永 良子 ,  高木 剛 ,  島川 一彦
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 有古特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-011499
公開番号（公開出願番号）：特開2009-124167
出願日： 2009年01月22日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：

【課題】 フォーミング工程が不要で動作し、高速で可逆的に安定した書き換え特性と、良好な抵抗値のリテンション特性とを有する不揮発性記憶素子、及び半導体製造プロセスと親和性の高いその不揮発性記憶素子の製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置を提供する。【解決手段】 第1電極103と、第2電極107と、第1電極103と第2電極107との間に介在し、両電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層106と、を備え、抵抗変化層106は、その厚み方向において、TaOx(但し、0 請求項（抜粋）：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在し、両電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層と、を備え、 前記抵抗変化層は、その厚み方向において、TaOx(但し、0 IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L27/10 461

Fターム (16件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083ZA10 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13

引用特許：

出願人引用 (9件)

• 記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-214603   出願人：ソニー株式会社
• 非対称結晶構造メモリセル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-132264   出願人：シャープ株式会社
• 米国特許第6473332号明細書
  
• 一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-164659   出願人：三星電子株式会社
• 段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-130645   出願人：三星電子株式会社
• 可変抵抗素子とその製造方法ならびにそれを備えた半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-375852   出願人：シャープ株式会社
• 電子回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-016018   出願人：キヤノン株式会社
• 記憶素子及び記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-361755   出願人：ソニー株式会社
• 抵抗変化型素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-280855   出願人：富士通株式会社, 国立大学法人名古屋工業大学

審査官引用 (2件)

• 記憶素子及び記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-361755   出願人：ソニー株式会社
• 抵抗変化型素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-280855   出願人：富士通株式会社, 国立大学法人名古屋工業大学