特許
J-GLOBAL ID：200903051046410997
不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 有古特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-011499
公開番号（公開出願番号）：特開2009-124167
出願日： 2009年01月22日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
【課題】 フォーミング工程が不要で動作し、高速で可逆的に安定した書き換え特性と、良好な抵抗値のリテンション特性とを有する不揮発性記憶素子、及び半導体製造プロセスと親和性の高いその不揮発性記憶素子の製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置を提供する。【解決手段】 第1電極103と、第2電極107と、第1電極103と第2電極107との間に介在し、両電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層106と、を備え、抵抗変化層106は、その厚み方向において、TaOx(但し、0<x<2.5)で表される組成を有する第1の酸素不足型のタンタル酸化物を含む第1の領域104と、TaOy(但し、x<y<2.5)で表される組成を有する第2の酸素不足型のタンタル酸化物を含む第2の領域105と、を有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在し、両電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層と、を備え、
前記抵抗変化層は、その厚み方向において、TaOx(但し、0<x<2.5)で表される組成を有する第1の酸素不足型のタンタル酸化物を含む第1の領域と、TaOy(但し、x<y<2.5)で表される組成を有する第2の酸素不足型のタンタル酸化物を含む第2の領域と、を有している、不揮発性記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
, H01L27/10 461
5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083GA10
, 5F083GA21
, 5F083GA27
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083MA20
, 5F083ZA10
, 5F083ZA12
, 5F083ZA13
出願人引用 (7件)
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記憶素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-214603
出願人：ソニー株式会社
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非対称結晶構造メモリセル
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-132264
出願人：シャープ株式会社
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米国特許第6473332号明細書
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審査官引用 (2件)
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記憶素子及び記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-361755
出願人：ソニー株式会社
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抵抗変化型素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-280855
出願人：富士通株式会社, 国立大学法人名古屋工業大学
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