半導体製造用保持体およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野稔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044544
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058631
特許番号：特許第4013386号
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体素材を保持する半導体製造用保持体であって、窒化アルミニウム系セラミックスからなる複数の基材を高融点金属層と接着層とによって積層した半導体製造用保持体。

IPC (4件)：

H01L 21/683 ( 200 6.01) , C04B 35/581 ( 200 6.01) , C04B 37/02 ( 200 6.01) , H02N 13/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/68 R , C04B 35/58 104 B , C04B 37/02 B , H02N 13/00 D

引用特許：

審査官引用 (9件)

静電チャック
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-080416 出願人：東陶機器株式会社
静電チャック
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-062325 出願人：信越化学工業株式会社
ウェハ保持装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-074081 出願人：京セラ株式会社

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