特許
J-GLOBAL ID：201103085244755126
コンプリメンタリー接合電界効果トランジスタを備えた炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-029228
公開番号（公開出願番号）：特開2011-166025
出願日： 2010年02月12日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：
【課題】平坦面に対してデバイス形成できる絶縁分離構造を有し、かつ、高周波でのノイズ伝播や高温時でのリーク電流の発生を抑制できるCJFETを備えたSiC半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁分離層3にてn-型SiC層2やp-型SiC層4を絶縁分離する。これにより、平坦面に対してデバイス形成を行うことができる。このため、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。また、PN分離ではなく、半絶縁性のイントリンシック層にて構成された絶縁分離層3によって絶縁分離構造を構成しているため、絶縁分離層3によって高周波ノイズを吸収することによる高周波でのノイズ伝播の抑制を行えると共に、高温時でのリーク電流の発生の抑制を行うことが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型チャネルのJFETと第2導電型チャネルのJFETとが同一基板内に形成されてなるコンプリメンタリー接合電界効果トランジスタを備えた炭化珪素半導体装置であって、
主表面を有し、半絶縁性であるイントリンシック炭化珪素にて構成された炭化珪素基板(1)と、
前記炭化珪素基板(1)の前記主表面側に形成された第2導電型炭化珪素層(4)と、
前記炭化珪素基板(1)の前記主表面側に形成された第1導電型炭化珪素層(2)と、
前記炭化珪素基板(1)の表面から垂直方向に延設され、前記第1導電型炭化珪素層(2)と前記第2導電型炭化珪素層(4)とを絶縁するイントリンシック炭化珪素で構成された絶縁分離層(3)とを有し、
前記絶縁分離層(3)にて絶縁分離された前記第1導電型炭化珪素層(2)や前記第2導電型炭化珪素層(4)に対して、前記第1導電型チャネルのJFETと前記第2導電型チャネルのJFETを形成していることを特徴とするコンプリメンタリー接合電界効果トランジスタを備えた炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/095
, H01L 21/337
, H01L 29/808
H01L29/80 E
, H01L29/80 C
5F102FA00
, 5F102FA08
, 5F102GA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GC02
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GL02
, 5F102GR01
, 5F102HC01
, 5F102HC07
, 5F102HC15
