特許
J-GLOBAL ID：201103087694758225

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-268671
公開番号（公開出願番号）：特開2011-139054
出願日： 2010年12月01日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：
【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面上の結晶領域を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の、前記結晶領域と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、前記結晶領域は、前記酸化物半導体層の表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶を有する領域である半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上の結晶領域を有する酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、 前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上の、前記結晶領域と重畳する領域のゲート電極層と、 を有し、 前記結晶領域は、前記酸化物半導体層の表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶を有する領域である半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (8件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20
Fターム (90件)：
5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG26 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL24 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP22 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F152AA07 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152CE28 ,  5F152CE45 ,  5F152EE16 ,  5F152FF11 ,  5F152FF14 ,  5F152FF15 ,  5F152FF16 ,  5F152FF17 ,  5F152FF21
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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