特許

J-GLOBAL ID：201103089768236032

半導体レーザ

発明者： 原山 卓久 ,  福嶋 丈浩 ,  ピーター デイビス
出願人/特許権者： 株式会社国際電気通信基礎技術研究所
代理人 (1件)： 松山 隆夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-020755
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235339
特許番号：特許第4155834号
出願日： 2003年01月29日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 曲面から成る出射面を有し、前記出射面からレーザ光を出射するキャビティと、 前記キャビティに電流を注入する正極電極及び負極電極と、 前記正極電極と前記負極電極との間に電圧を印加する電圧印加回路とを備え、 前記正極電極及び前記負極電極の一方の電極は、リング形状から成り、 前記レーザ光は、前記キャビティの一部である前記一方の電極のリング形状に沿った領域で発振し、 前記正極電極及び前記負極電極の一方の電極は、 前記リング形状から成るリング電極と、 前記長手方向に沿って前記リング電極の内側に形成され、略直線形状を有する線状電極とから成り、 前記電圧印加回路は、前記キャビティから出射される前記レーザ光のモードに応じて異なる電圧を前記正極電極と前記負極電極との間に印加し、 前記キャビティは、前記電圧印加回路が第1の電圧を前記正極電極と前記負極電極との間に印加したとき、シングルモードのレーザ光を前記出射面から出射し、前記電圧印加回路が前記第1の電圧よりも高い第2の電圧を前記正極電極と前記負極電極との間に印加したとき、ツインモードのレーザ光を前記出射面から出射し、前記電圧印加回路が前記第2の電圧よりも高い第3の電圧を前記正極電極と前記負極電極との間に印加したとき、ロックキングモードのレーザ光を前記出射面から出射する、半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/042 ( 200 6.01) ,  H01S 5/10 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01S 5/042 612 ,  H01S 5/10

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 特開昭62-213188
  
• 特開昭58-225678
  
• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-335087   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 特開昭62-213188
  
• 特開昭58-225678
  
• 半導体リングレーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-184265   出願人：株式会社クボタ
• 積層体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-146335   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭62-213188
  
• 特開昭58-225678
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Analysis of Resonator Eigenmodes in Symmetric Quasi-Stadium Laser Diodes"