特許
J-GLOBAL ID：201103090615393595
III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜製造用サファイア単結晶基板、及びエピタキシャル成長用基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
杉村 憲司
, 杉村 興作
, 来間 清志
, 藤谷 史朗
, 澤田 達也
, 箱守 英史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-177115
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367917
特許番号：特許第4260380号
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 サファイア単結晶基板上に、転位密度が、1010/cm2以下であるAlNからなるIII族窒化物膜を製造する方法であって、
前記III族窒化物膜は、1100°C以上の温度で形成し、
前記サファイア単結晶基板はC面を主面とするサファイア単結晶基板であって、
前記サファイア単結晶基板の表面から10Åの深さにおける窒素含有量が2原子%〜50原子%である表面窒化層を形成した後、前記サファイア単結晶基板上に、前記表面窒化層を介して前記III族窒化物膜を形成することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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