特許
J-GLOBAL ID：201103097232875876

III族窒化物半導体からなる半導体装置およびその製造方法、電力変換装置

発明者：
岡 徹

岡 徹 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-219254
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071206
出願日： 2009年09月24日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
【課題】ノーマリオフでオン抵抗の低いHFETを実現すること。【解決手段】HFET100は、第1キャリア走行層103上の互いに離間した2つの領域上に、2つに分離して形成されたノンドープのGaNからなる第2キャリア走行層104と、2つの分離した第2キャリア走行層104上にそれぞれ位置するAlGaNからなるキャリア供給層105を有している。第2キャリア走行層104とキャリア供給層105は、第1キャリア走行層103上に選択的に再成長させて形成した層である。第2キャリア走行層104とキャリア供給層105のヘテロ接合界面110は平坦性が高く、そのヘテロ接合界面110近傍は再成長に伴って混入した不純物はほとんど見られないため、2DEGの移動度を低下させることがなく、オン抵抗が低減されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III 族窒化物半導体からなる第1キャリア走行層と、 前記第1キャリア走行層の一部領域上に位置し、選択的に再成長されたIII 族窒化物半導体からなる第2キャリア走行層と、 前記第2キャリア走行層上に接して位置し、選択的に再成長された、前記第2キャリア走行層よりもバンドギャップの大きなIII 族窒化物半導体からなるキャリア供給層と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q ,  H01L29/91 H ,  H01L27/06 F ,  H01L29/78 301B
Fターム (52件)：
5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS03 ,  5F102GS04 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC02 ,  5F102HC15 ,  5F140AA30 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD10 ,  5F140BD11 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF42 ,  5F140BF44 ,  5F140BG30 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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