窒化物半導体

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053414
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252219
特許番号：特許第3896718号
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】窒化物半導体と異なる異種基板上に、窒化物半導体から成り、且つ凹凸が設けられた第1の層と、該第1の層上に、MOVPE法を用いてラテラル成長により形成されることで結晶欠陥が表面不均一の第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層上に、HVPE法を用いて10μm以上の膜厚で形成されることで結晶欠陥が前記第1の窒化物半導体層と比べて表面均一の第2の窒化物半導体とを有する窒化物半導体。

IPC (3件)：