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J-GLOBAL ID：201202264234135486   整理番号：12A0703687

写像投影光学系を用いた電子ビームEUVマスク欠陥検査装置EBeyeM

′′EBeyeM′′ EUV Mask Inspection Tool for EUV Lithography Applying Projection Electron Microscope Technology

著者 (3件)： 山口真司 (東芝) ,  中真人 (東芝) ,  平野隆 (東芝)
資料名： 東芝レビュー  (Toshiba Review)
巻： 67  号： 4  ページ： 32-35  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： F0360A  ISSN： 0372-0462  CODEN： TORBA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 今後の継続的な半導体デバイスの製造を支える微細化技術の周辺技術として,マスクの20nm以下の微細な欠陥を検出するための検査技術の研究開発が活発化している。東芝は,(株)荏原製作所と共同で,写像投影光学系を用いた電子ビームEUV(Extreme Ultraviolet)マスク欠陥検査装置EBeyeMを他社に先駆けて開発した。電子ビームを用いた検査技術の常識である“高感度であるが検査時間がかかる”という壁を越えて,従来の光学式装置と同等の検査時間で,20nm以下の微細な欠陥を検出できることを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： フォトマスク ,  *欠陥検査 ,  電子ビーム ,  光学系 ,  加工欠陥 ,  フォトリソグラフィー ,  *試験装置
準シソーラス用語： *EUVマスク ,  *EUVリソグラフィー ,  *マスク欠陥 ,  *投影光学系

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• (1) Hirano, T. et al. Development of EB inspection system EBeyeM for EUV mask. Proc. SPIE. 7823, 2, 2010, p.78232C.1-78232C.8.
• (2) Yamaguchi, S. et al. Performance of EBeyeM for EUV mask inspec-tion. Proc. SPIE. 8166, 2, 2011, p.81662F.1-81662F.8.
• (3) ITRS委員会.“lnternational Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2010 Update Edition, Lithography, Table LITH5A Optica Mask Requirements, Table LITH5C EUVL Mask Requirementsi”. <http://www.itrs.net/Links/20101TRS/Home2010.htm>, (参照2012-02-01).
• (4) Miyoshi, M. et al. Electron beam inspection system based on the pro-jection imaging electron microscope. J. Vac. Sci. Technol. B19, 6, 2001, p.2852-2855.
• (5) Hirano, R. et al. Study of EUV mask inspection technique using DUV light source for hp22nm and beyond. Proc. SPIE. 7823, 2, 2010, p.782339.1-782339.10.

タイトルに関連する用語 (5件)： 写像 ,  投影光学系 ,  電子ビーム ,  EUVマスク ,  欠陥検査装置