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J-GLOBAL ID：201202289852872583   整理番号：12A0589353

近接二層積層によるGaAs基板上InAs-QDの発光長波長化の検討

著者 (5件)： 中谷擁平 (和歌山大) ,  尾崎信彦 (和歌山大) ,  大河内俊介 (NEC) ,  池田直樹 (物質・材料研究機構) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.16P-A8-15  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  *ヒ化ガリウム ,  *光ルミネセンス ,  スペーサ ,  *MBE成長 ,  赤外発光スペクトル ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  放射強度 ,  赤方偏移 ,  二重層
準シソーラス用語： 二層膜

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二層 ,  GaAs基板 ,  InAs ,  波長