特許
J-GLOBAL ID:201203000028371293
基板の表面平坦化方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
林 信之
, 安彦 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-017123
公開番号(公開出願番号):特開2012-160487
出願日: 2011年01月28日
公開日(公表日): 2012年08月23日
要約:
【課題】近接場光によるエッチングが困難なサイズの凸部でも光の照射により選択的にエッチングすることを可能とする。【解決手段】基板の表面に形成された凸部をエッチングするための基板の表面平坦化方法である。凸部3が露出するように基板2の表面2aにレジスト5を被覆させる。続いて、エッチングガス雰囲気中において当該エッチングガスのガス分子6の吸収端波長より長波長の伝搬光を基板2に照射する。このとき、凸部2のレジスト5からの露出部4の表面において、照射した伝搬光によりガス分子4を断熱過程を経て解離させることによって露出部4がエッチングされる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板の表面に形成された凸部をエッチングするための基板の表面平坦化方法において、
前記凸部が露出するように前記基板の表面にレジストを被覆させるレジスト被覆工程と、
エッチングガス雰囲気中において当該エッチングガスのガス分子の吸収端波長より長波長の伝搬光を前記基板に照射し、前記凸部のレジストからの露出部の表面において、前記照射した伝搬光により前記ガス分子を解離させることによって前記露出部をエッチングするエッチング工程とを有すること
を特徴とする基板の表面平坦化方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (10件):
5F004AA05
, 5F004AA11
, 5F004BA19
, 5F004BB02
, 5F004BB03
, 5F004DA04
, 5F004DB01
, 5F004DB09
, 5F004DB23
, 5F004EA27
引用特許:
審査官引用 (6件)
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表面平坦化方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-004472
出願人:シグマ光機株式会社
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薄膜半導体の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-200356
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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ドライエッチングによる平坦化方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-010873
出願人:松下電器産業株式会社
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