表面平坦化方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：林信之 , 安彦元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-264481
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094345
出願日： 2007年10月10日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

【課題】数nmサイズの凹凸部を表面に有する基盤や薄膜を、原子レベルにまで平坦化することを目的とする。【解決手段】反応性ガスが導入されてなるチャンバ11内に基板12を配置する。反応性ガスを構成するガス分子を直接励起可能な波長帯域における吸収端波長よりも長波長からなる光を凸部21に照射する。凸部21に光を照射することによって凸部21の局所領域に発生する近接場光に基づき、非共鳴過程を経て反応性ガスを解離させて活性種を生成させる。活性化された活性種と凸部21とを化学反応させて反応生成物を生成させ、凸部21を除去する。光として、反応性ガスに対する非共鳴光を用いているため、凸部21の局所領域で発生する近接場光によってのみ、エッチングが進行する。また、近接場光の発生する凸部21が反応の進行に伴い除去され、自動的に平坦化の工程が終了する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板表面又は基板上に積層されてなる薄膜表面に形成された凹部を平坦化する表面平坦化方法において、原料ガスが導入されてなるチャンバ内に上記基板を配置し、上記原料ガスのガス分子の吸収端波長よりも長波長からなる光を上記凹部に照射することによって、当該凹部の局所領域に近接場光を発生させ、上記凹部に発生した近接場光に基づき、非共鳴過程を経て上記原料ガスを解離させて分解生成物を生成させ、当該生成させた分解生成物を上記凹部内に堆積させることによって、上記凹部を平坦化することを特徴とする表面平坦化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 , H01L 21/205 , C23C 16/48 , G03F 1/08

FI (4件)：

H01L21/302 201A , H01L21/205 , C23C16/48 , G03F1/08 L

Fターム (30件)：

2H095BB35 , 2H095BC09 , 4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030BA06 , 4K030BA29 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA07 , 4K030LA15 , 5F004AA11 , 5F004BA19 , 5F004BA20 , 5F004BB03 , 5F004DA01 , 5F004DA03 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DB01 , 5F004EA34 , 5F045AA11 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045BB01 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EE08

引用特許：

出願人引用 (2件)

化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-232485 出願人：松下電子工業株式会社
化学的機械研磨装置、化学的機械研磨方法及びドレッシング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-050627 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (6件)

ナノ構造の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-194872 出願人：日本電信電話株式会社
半導体ウェーハの平坦化処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-072470 出願人：三菱住友シリコン株式会社
光化学気相堆積装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-273539 出願人：科学技術振興事業団

全件表示

前のページに戻る