特許
J-GLOBAL ID：201203000615808041

低電力磁気ランダムアクセスメモリセル

発明者：
ヨアン・リュスィアン・プルジブアニュ

ヨアン・リュスィアン・プルジブアニュ について

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クラリス・デュクリュ

クラリス・デュクリュ について

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セリーヌ・ポルテモン

セリーヌ・ポルテモン について


出願人/特許権者：
クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム

クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム について


代理人 (3件)： 江崎 光史 ,  鍛冶澤 實 ,  清田 栄章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-007603
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151476
出願日： 2012年01月18日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：
【課題】 低電力磁気ランダムアクセスメモリセルを提供する。【解決手段】 本発明は、熱アシスト書き込み操作又はスピントルクトランスファー(STT)に基づいた書き込み操作を実施するのに適した磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルに関する。このMRAMは、磁気トンネル接合を備える。磁気トンネル接合が、上部電極と、第1磁化方向を有する第1強磁性層と第1磁化方向に対して調節可能な第2磁化方向を有する第2強磁性層との間に形成されたトンネル障壁層と、前端層と、第2強磁性層が上に堆積された磁性層又は金属層とから構成される。第2強磁性層が、前端層とトンネル障壁層との間に形成されていて、約0.5nm〜約2nmの厚さを有する。その結果、当該磁気トンネル接合は、約100%より大きい磁気抵抗を有する。本明細書で開示するMRAMセルは、従来のMRAMセルに比べて電力消費が低い。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
熱アシスト書き込み操作又はスピントルクトランスファーに基づいた書き込み操作を実施するために適した磁気ランダムアクセスメモリセルにおいて、 当該磁気ランダムアクセスメモリセルは、磁気トンネル接合を備え、この磁気トンネル接合は、上部電極と、第1磁化方向を有する第1強磁性層と、前記第1磁化方向に対して調節され得る、第2磁化方向を有する第2強磁性層と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間のトンネル障壁層と、前端層とから構成され、 前記第2強磁性層は、前記前端層と前記トンネル障壁層の間にあり、 さらに、前記磁気トンネル接合は、磁性層又は金属層を有し、前記第2強磁性層が、前記磁性層又は金属層上に堆積されていて、 前記第2強磁性層は、約0.5nm〜約2nmの厚さを有し、前記磁気トンネル接合は、約100%より大きい磁気抵抗を有する、磁気ランダムアクセスメモリセル。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z
Fターム (34件)：
4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119CC06 ,  4M119DD04 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  5F092AA02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB71 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC34 ,  5F092BC39 ,  5F092BE27
引用特許：
審査官引用 (7件)
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